EQS-News: AIXTRON beteiligt sich an Forschungsprojekt für mehr Energieeffizienz bei der Produktion von SiC-Schichten (deutsch) |
03.07.2025 07:30:00 |
AIXTRON beteiligt sich an Forschungsprojekt für mehr
Energieeffizienz bei der Produktion von SiC-Schichten
EQS-Media / 03.07.2025 / 07:30 CET/CEST
AIXTRON beteiligt sich an Forschungsprojekt für mehr
Energieeffizienz bei der Produktion von SiC-Schichten
Herzogenrath, 03.07.2025 - AIXTRON SE (FSE: AIXA), das Fraunhofer
IISB in Erlangen sowie die bimanu Cloud Solutions GmbH in Neuss
werden gemeinsam die Energieeffizienz bei der Produktion von
Halbleiterschichten auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) verbessern.
Dazu kooperieren die Partner in dem vom Bundesministerium für
Bildung und Forschung (BMBF) geförderten Projekt "Steigerung der
Energieeffizienz bei der SiC-Epitaxie", das AIXTRON leitet.
Ziel des 28,4 Millionen Euro teuren Projekts ist es, die
Ressourceneffizienz (Wasser- und Energieverbrauch, Abfallmenge) bei
der Produktion von Schichtstrukturen aus SiC-Verbindungshalbleitern
zu steigern. Dabei werden KI-basierte Methoden sowohl für material-
und energie-effiziente Herstellungsprozesse als auch Produkte
erforscht und entwickelt. Die Potentiale hierbei sind groß: Es wird
angestrebt, die benötigte elektrische Energie pro Fläche bei der
Herstellung von SiC-Halbleitern zu halbieren.
"Halbleiter auf Grundlage von SiC liefern etwa bei der
Elektromobilität oder erneuerbaren Energien eine deutlich bessere
Energieeffizienz als herkömmliches Silizium. Die Produktion von
Halbleitern ist jedoch grundsätzlich energieintensiv. Daher sehen
wir hier einen besonders großen Hebel, die Herstellung dieser
zukunftsweisenden Technologien noch effizienter zu gestalten und
damit ihre Verbreitung sowie die grüne Transformation
voranzutreiben", erklärt Prof. Dr. Michael Heuken, VP Advanced
Technologies die Bedeutung des Vorhabens.
Auf Basis der Projektarbeit sollen etwa Produktionsabläufe
verbessert und Handlungsempfehlungen erforscht werden. Gerade in
diesem Bereich wird die Kompetenz von bimanu zum Einsatz kommen. Der
Softwareanbieter ist spezialisiert auf Datenintegration und Analysen
in den Bereichen Business Intelligenz, Marketing Analytics,
Industrie 4.0 und Energiemanagement.
Das Fraunhofer IISB bringt seine einzigartige Kompetenz im Bereich
SiC ein - sei es bei Forschung und Entwicklung in dieser
Materialklasse als auch bei der Weiterentwicklung von Prozessen. So
betreibt das Fraunhofer IISB die einzige kontinuierliche 150
mm-SiC-Entwicklungslinie in Deutschland, die die Nummer Eins in
Europa und in den Top Fünf der Welt ist.
Der Schwerpunkt von AIXTRON innerhalb des Projekts wird es sein, die
Anlagentechnologie zu erforschen und damit die Anlagenentwicklung
voranzutreiben. Zu diesem Zweck werden mehrere Testanlagen aufgebaut
und betrieben. An diesen werden die Simulationsmodelle verifiziert
und die Daten und Modelle mit bimanu entwickelt und getestet.
Ansprechpartner
Christian Ludwig Vice President Investor Relations & Corporate
Communications fon +49 (2407) 9030-444 e-mail c.ludwig@aixtron.com
Über AIXTRON
Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender
Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das
Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath
(Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in
Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der
Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur
Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und
optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter-
oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente
werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und
Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und
Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und
GaN-Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und
Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle
High-Tech-Anwendungen.
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R),
Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R),
EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R),
Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)
Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6)
sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.
Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft,
die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON
enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen
mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern"
und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche
Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen.
Solchezukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen
Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von
denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen,
wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und
Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder
Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende
Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich
herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die
tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON
wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich
oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden
sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel
die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang
der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der
endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das
Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die
allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das
makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder
Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der
Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen,
Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung
der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,
Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen,
Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte,
eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch
alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und
Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts,
beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete
Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen
des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen
neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen
Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung
besteht.
Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei
Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der
englischen Übersetzung vor.
Ende der Pressemitteilung
Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE Schlagwort(e):
Forschung/Technologie
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Unternehmen: AIXTRON SE
Dornkaulstraße 2
52134 Herzogenrath
Deutschland
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E-Mail: invest@aixtron.com
Internet: www.aixtron.com
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Indizes: MDAX, TecDAX
Börsen: Regulierter Markt in Frankfurt (Prime Standard);
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